隨著工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展,壓力傳感器在精密測量領(lǐng)域的應(yīng)用市場前景越來越廣闊。MEMS壓力傳感器應(yīng)運而生。與傳統(tǒng)的壓力傳感器相比,MEMS壓力傳感器不僅體積小,而且測量精度高,功耗低,成本低。大多數(shù)MEMS壓力傳感器的壓力元件是硅膜片。根據(jù)不同的敏感機制,MEMS壓力傳感器可以分為三種:壓阻式、電容式和諧振式。其中,硅壓阻力MEMS壓力傳感器采用高精度半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片,形成惠斯頓。
壓力傳感器的標(biāo)準(zhǔn)流程如下:首先,將四個電阻應(yīng)變片注入拋光的硅襯底,電阻應(yīng)變片設(shè)計在硅膜表面應(yīng)力大的地方,形成惠斯頓電橋。然后,在圓片的背面,從硅片的中間蝕刻出一個應(yīng)力杯。鍵合圓片的背面。根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用,可以在應(yīng)力杯中抽真空制作絕壓MEMS設(shè)備,也可以保持應(yīng)力杯與大氣的連接,制成表壓MEMS設(shè)備。產(chǎn)品封裝后,當(dāng)硅膜兩側(cè)的壓差發(fā)生變化時,應(yīng)力硅膜會發(fā)生彈性變形,破壞原有的惠斯頓電橋電路平衡,從而產(chǎn)生一個電橋。